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技術の記録的な飛躍 サムスンが世界初となる3ナノメートルチップの生産開始
技術の記録的な飛躍 サムスンが世界初となる3ナノメートルチップの生産開始
Sputnik 日本
韓国のサムスン電子は、GAA（Gate-All-Around）トランジスタ構造を適用した3ナノメートルのプロセス技術による半導体チップの大量生産を開始した。同社はこの技術を使った世界初の企業となった。同社のサイトで発表された。 2022年6月30日, Sputnik 日本
2022-06-30T20:31+0900
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半導体チップの新しいフォーマットは、前世代の「FinFET」の構造と比較して、エネルギー効率とデータ処理速度が高いという特徴があることが知られている。サムスン電子によれば、第1世代である3ナノメートルチップは、これまでの5ナノメートルチップとの比較で、消費電力が45％削減、性能が23％向上、また、面積が16％縮小される。新技術の第一段階では、高性能コンピューター用のシステムチップの製造が行われ、その後、携帯電話用のチップの生産に適用されるという。関連ニュース
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技術の記録的な飛躍 サムスンが世界初となる3ナノメートルチップの生産開始
2022年6月30日, 20:31 (更新: 2022年6月30日, 20:37) 韓国のサムスン電子は、GAA（Gate-All-Around）トランジスタ構造を適用した3ナノメートルのプロセス技術による半導体チップの大量生産を開始した。同社はこの技術を使った世界初の企業となった。同社のサイトで発表された。
半導体チップの新しいフォーマットは、前世代の「FinFET」の構造と比較して、エネルギー効率とデータ処理速度が高いという特徴があることが知られている。
サムスン電子によれば、第1世代である
3ナノメートルチップは、これまでの5ナノメートルチップとの比較で、消費電力が45％削減、性能が23％向上、また、面積が16％縮小される。
新技術の第一段階では、高性能コンピューター用のシステムチップの製造が行われ、その後、携帯電話用のチップの生産に適用されるという。
