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日米　次世代半導体の開発に向け、国際共同研究のハブを設立へ

日米　次世代半導体の開発に向け、国際共同研究のハブを設立へ

Sputnik 日本

日本の萩生田経済産業相は、米ワシントンで29日に開かれた日米両国の外務・経済閣僚による「2+2」会合後の記者会見で、日米は次世代半導体の開発に向けた国際共同研究のハブを整備するとの意向を表明した。 2022年7月30日, Sputnik 日本

2022-07-30T14:19+0900

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NHKの報道によると、萩生田経産相は、次世代半導体の開発に向けた研究開発拠点を新たに整備する方針を表明し、日米で共同開発を加速させることで一致したと明らかにした。萩生田経産相は「海外の企業や研究機関にもオープンで、国際共同研究のハブとする考えだ。科学技術立国である日本の力を結集し、日米、さらには有志国の協力をリードしていく決意だ」と述べた。萩生田経産相は「外交・安全保障政策と経済政策はもはや一体不可分だ」とした上で、「そうした時代に日米の外務・経済の閣僚が議論を行い、一致したメッセージを世界に発信する意義は極めて大きい」と指摘した。また「経済版『2+2』は、『自由で開かれたインド太平洋の実現に向けた羅針盤』である」とし、「経済的な力を国際ルールに反するような形で、一方的に行使するようなことはあってはならない」と話した。先に、日本は米国の参加を得て、年内に「次世代半導体製造技術開発センター（仮称）」を立ち上げると報じられた。日本政府は、経済安全保障に欠かせない半導体の国内生産を強化する意向。日本国内の新たな研究開発拠点には、産業技術総合研究所や理化学研究所、東京大学などが参加予定。関連ニュース

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